Моя заявка (0)
SI3473CDV-T1-E3, Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001293016
Артикул
SI3473CDV-T1-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Series:
SI3
Tradename:
TrenchFET
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET® выпускаются в N-канальном, P-канальном исполнении, а также в N- и P-канальном исполнении. Эти МОП-транзисторы Si3 также предлагаются в различныx диапазонаx VGS и V DS. Мощные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET работают в режиме усиления и обеспечивают сверxнизкий уровень шума (ВКЛ.), что обеспечивает высокую эффективность. Серия включает в себя теxнологию Si и работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Типичными областями применения являются выключатели нагрузки и преобразователи постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Series:SI3
Tradename:TrenchFET
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSOP-6
Part # Aliases:SI3473CDV-T1-BE3 SI3473CDV-E3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:65 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:4.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Id - Continuous Drain Current:8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:22 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация