Моя заявка (0)

SI3460DDV-T1-GE3-VB, 30V 6A 30mOhm@10V N Channel SOT23-6 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026381623
Артикул
SI3460DDV-T1-GE3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.06
Корпус
sot23
Структура
N-Channel
Особенности
-
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.06
Корпусsot23
СтруктураN-Channel
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе1.6V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)30мОм