SI3457CDV-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005512579
- Артикул
- SI3457CDV-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 1.7mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 69,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -4,1А, 2Вт, TSOP6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 1.7mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TSOP-6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | -3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | -1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 13 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.1 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |