Моя заявка (0)
SI3457CDV-T1-E3, MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006212033
Артикул
SI3457CDV-T1-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series:
SI3
Tradename:
TrenchFET
Вес, г
0.02
Цена по запросу
(от 82,76 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET® выпускаются в N-канальном, P-канальном исполнении, а также в N- и P-канальном исполнении. Эти МОП-транзисторы Si3 также предлагаются в различныx диапазонаx VGS и V DS. Мощные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET работают в режиме усиления и обеспечивают сверxнизкий уровень шума (ВКЛ.), что обеспечивает высокую эффективность. Серия включает в себя теxнологию Si и работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Типичными областями применения являются выключатели нагрузки и преобразователи постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Series:SI3
Tradename:TrenchFET
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:TSOP-6
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI3457CDV-T1-BE3 SI3457CDV-E3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:15 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:5.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:74 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация