Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026381073
Артикул
SI3456DDV-T1-GE3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.05
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
2.5W
Особенности
-
Цена по запросу
(от 24,79 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.05
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)2.5W
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)6A
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)23mΩ@10V, 5.5A