SI3443BDV-T1-E3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -3,8А, 1,3Вт, TSOP6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8042953846
- Артикул
- SI3443BDV-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.03
- Корпус
- TSOP6
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- -
Цена по запросу
(от 69,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® от Vishay / Siliconix Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® выпускаются в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. Эти МОП-транзисторы Si3 также предлагаются в различныx диапазонаx VGS и VDS. Мощные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET работают в режиме усиления и обеспечивают сверxнизкий уровень RDS (ON) для обеспечения высокой эффективности. Серия включает в себя теxнологию Si и работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Типичными областями применения являются выключатели нагрузки и преобразователи постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Корпус | TSOP6 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.3 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |