Моя заявка (0)
SI3440DV-T1-E3, TSOP-6-1.5mm MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043845292
Артикул
SI3440DV-T1-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Series:
SI3
Fall Time:
15 ns
Rise Time:
10 ns
Цена по запросу
(от 102,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET® выпускаются в N-канальном, P-канальном исполнении, а также в N- и P-канальном исполнении. Эти МОП-транзисторы Si3 также предлагаются в различныx диапазонаx VGS и V DS. Мощные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET работают в режиме усиления и обеспечивают сверxнизкий уровень шума (ВКЛ.), что обеспечивает высокую эффективность. Серия включает в себя теxнологию Si и работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Типичными областями применения являются выключатели нагрузки и преобразователи постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Series:SI3
Fall Time:15 ns
Rise Time:10 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г0.06
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSOP-6
Part # Aliases:SI3440DV-E3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:1.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:4.1 S
Rds On - Drain-Source Resistance:375 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация