SI3440ADV-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001486749
- Артикул
- SI3440ADV-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 2 nC
- V(DS)
- 150 V
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- P(tot)
- 3.6 W
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 2 nC |
| V(DS) | 150 V |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| P(tot) | 3.6 W |
| Package | TSOP-6 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 22 ns |
| Rise Time: | 22 ns |
| Вес, г | 2 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 316 mOhm |
| Configuration: | Single |
| I(D)at Tc=25°C | 2.2 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOP-6 |
| Part # Aliases: | SI3440ADV-T1-BE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.65 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.316 Ом |