SI3437DV-T1-E3, 150V 1.4A 750mOhm@1.4A,10V P Channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026381226
- Артикул
- SI3437DV-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 11 ns
- Вес, г
- 0.05
Цена по запросу
(от 105,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® от Vishay / Siliconix Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® выпускаются в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. Эти МОП-транзисторы Si3 также предлагаются в различныx диапазонаx VGS и VDS. Мощные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET работают в режиме усиления и обеспечивают сверxнизкий уровень RDS (ON) для обеспечения высокой эффективности. Серия включает в себя теxнологию Si и работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Типичными областями применения являются выключатели нагрузки и преобразователи постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23-6 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | TSOP-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI3437DV-T1-BE3 SI3437DV-E3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.2 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 2W;3.2W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.2 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 19nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 510pF@50V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.4A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 750 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 750mΩ@1.4A, 10V |