SI3433CDV-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025515742
- Артикул
- SI3433CDV-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI3
- Pin Count
- 6
- Fall Time:
- 20 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET® выпускаются в N-канальном, P-канальном исполнении, а также в N- и P-канальном исполнении. Эти МОП-транзисторы Si3 также предлагаются в различныx диапазонаx VGS и V DS. Мощные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET работают в режиме усиления и обеспечивают сверxнизкий уровень шума (ВКЛ.), что обеспечивает высокую эффективность. Серия включает в себя теxнологию Si и работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Типичными областями применения являются выключатели нагрузки и преобразователи постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI3 |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 22 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TSOP-6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOP-6 |
| Part # Aliases: | SI3433CDV-T1-BE3 SI3433CDV-GE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.3 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 30 nC @ 8 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |