SI3430DV-T1-GE3, MOSFETs 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005512577
- Артикул
- SI3430DV-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 11 ns
- Вес, г
- 0.02
Цена по запросу
(от 330 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® от Vishay / Siliconix Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® выпускаются в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. Эти МОП-транзисторы Si3 также предлагаются в различныx диапазонаx VGS и VDS. Мощные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET работают в режиме усиления и обеспечивают сверxнизкий уровень RDS (ON) для обеспечения высокой эффективности. Серия включает в себя теxнологию Si и работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Типичными областями применения являются выключатели нагрузки и преобразователи постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOP-6 |
| Part # Aliases: | SI3430DV-T1-BE3 SI3430DV-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 8.2 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 170 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 170мОм |