SI3429EDV-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025544086
- Артикул
- SI3429EDV-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 43.2 nC
- V(DS)
- 20 V
- P(tot)
- 4.2 W
- Package
- TSOP-6
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 43.2 nC |
| V(DS) | 20 V |
| P(tot) | 4.2 W |
| Package | TSOP-6 |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | Trench FET |
| Вес, г | 0.02 |
| No. of Pins | 6Pins |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | P Channel |
| Configuration | P-CH |
| Product Range | TrenchFET |
| RDS(on)at 10V | 21 mOhm |
| I(D)at Tc=25°C | 8 A |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | TSOP |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 8A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |