Моя заявка (0)

SI3421DV-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Surface Mount

SI3421DV-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8429462020
Артикул
SI3421DV-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
TSOP6
Series
TrenchFET
Mounting
SMD
Pin Count
6
Цена по запросу
(от 117 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

Технические параметры

CaseTSOP6
SeriesTrenchFET
MountingSMD
Pin Count6
TechnologyTrenchFET®
Вес, г0.129
СерияSI3
Gate charge69nC
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerVISHAY
Package TypeTSOP-6
Polarisationunipolar
Drain current-8A
Mounting TypeSurface Mount
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power dissipation2.7W
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураP-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance19.2mΩ
Drain-source voltage-30V
Pulsed drain current-50A
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада13 ns
Power Dissipation (Pd)4.2W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTSOP-6
Maximum Drain Source Voltage30 V
Continuous Drain Current (Id)8A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Qg - заряд затвора46 nC
Maximum Drain Source Resistance0.0192 O
Время нарастания9 ns
Maximum Continuous Drain Current8 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности4.2 W
Id - непрерывный ток утечки8 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток19.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения55 ns
Типичное время задержки при включении7 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.30 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)19.2mΩ@10V, 7A

Техническая документация