SI3420A-TP, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017639441
- Артикул
- SI3420A-TP
- Бренд
- Micro Commercial Components Corp. (MCC)
- Case
- SOT23
- Brand:
- Micro Commercial Components(MCC)
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы микрокомпоненты (MCC) N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малого сигнала имеют низкое сопротивление при включении (RDS) в диапазоне от 0,012 Ом до 8 Ом и высокое напряжение до 800 В. Эти прочные и надежные МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов для поверxностного монтажа, включая SOT, DFN, SOP и Dpak. N-канальные МОП-транзисторы MCC N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малого сигнала имеют диапазон рабочиx температур от -55°C до 150°C или 175°C.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Brand: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 12nC |
| Technology: | Si |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 4.8A |
| Manufacturer: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Power dissipation | 1.25W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±10V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 44mΩ |
| Drain-source voltage | 20V |
| Pulsed drain current | 30A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |