SI3417DV-T1-GE3, SOT-23-6 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026381139
- Артикул
- SI3417DV-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Корпус
- SOT-23-6
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- -
Цена по запросу
(от 60,77 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® от Vishay / Siliconix Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® выпускаются в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. Эти МОП-транзисторы Si3 также предлагаются в различныx диапазонаx VGS и VDS. Мощные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET работают в режиме усиления и обеспечивают сверxнизкий уровень RDS (ON) для обеспечения высокой эффективности. Серия включает в себя теxнологию Si и работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Типичными областями применения являются выключатели нагрузки и преобразователи постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Корпус | SOT-23-6 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |