SI3407DV-T1-GE3 ., P CHANNEL MOSFET, -20V, -8A, TSOP-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000674925
- Артикул
- SI3407DV-T1-GE3 .
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.08
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 2Вт
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -8А, 2,7Вт, TSOP6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.08 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.02Ом |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Полярность Транзистора | P Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSOP |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Unlimited |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.02Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |