SI3401A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,2А; Idm: -30А; 1,3Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048057372
- Артикул
- SI3401A-TP
- Бренд
- Micro Commercial Components Corp. (MCC)
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- Micro Commercial Components(MCC)
- Series:
- P-Channel Polarity
- Fall Time:
- 13 ns
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы с теxнологией Split Gate МОП-транзисторы с теxнологией MCC Split Gate поддерживают чрезвычайно низкое значение RD (ВКЛ.), что обеспечивает более высокую плотность тока в корпусаx меньшего размера. Эти МОП-транзисторы поддерживают повышенное значение BV dss, более высокое содержание N-легирования и уменьшенную добротность, что уменьшает зарядовую связь. Эти МОП-транзисторы SGT имеют улучшенный коэффициент полезного действия (FOM), что снижает потери при переключении и проводимости. Типичные области применения включают в себя экономию места и требования к высокой эффективности.
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Series: | P-Channel Polarity |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 3.5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 400mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.05nF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.2A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V, 4.2A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.3 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 60mΩ@10V, 4.2A |