SI3139KE-TP, MOSFETs P-CHANNEL MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006349781
- Артикул
- SI3139KE-TP
- Бренд
- Micro Commercial Components Corp. (MCC)
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- Micro Commercial Components(MCC)
- Fall Time:
- 20.3 ns
- Rise Time:
- 5.8 ns
Цена по запросу
(от 31,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 660 мА при 700 Мом при 600 мА, 4,5 В при 150 МВт 1.1V@250uA 1шт-канальные МОП-транзисторы SOT-523 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Fall Time: | 20.3 ns |
| Rise Time: | 5.8 ns |
| Вес, г | 0.002 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Package/Case: | SOT-523-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | - |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 180mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.25nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 71pF |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32.7 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 500mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 660 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.2 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 520 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 620mV@250uA |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 580mΩ@4.5V, 0.5A |