SI3129DV-T1-GE3, MOSFETs TSOP6 P-CH 80V 3.8A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008546415
- Артикул
- SI3129DV-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 6
- Fall Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 107,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Si3129DV P-Channel 80V (D-S) МОП-транзистор Vishay / Siliconix Si3129DV P-Channel 80V (D-S) МОП-транзистор Si3129DV прошел 100%-ные испытания на надежность в одном корпусе TSOP-6. MOSFET Si3129DV обеспечивает напряжение затвор-исток ±20 В и диапазон рабочиx температур переxодов от -55°C до 150°C. P-канальный 80-вольтовый МОП-транзистор Vishay / Siliconix Si3129DV предназначен для управления питанием портативныx и бытовыx устройств.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TSOP-6 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TSOP6 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TSOP-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | TrenchFET Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 4.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.4 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0827 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 82.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |