SI2399DS-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A; 1.6W; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033684049
- Артикул
- SI2399DS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 63,37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальный МОП-транзистор Vishay для поверxностного монтажа - это продукт нового поколения с напряжением сток-исток 20 В и максимальным напряжением затвор-исток 12 В.
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | sot23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.067 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |