SI2399BDS-T1-GE3,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 6.5 A, 0.028 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046493445
- Артикул
- SI2399BDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 3Pins
- Channel Type
- P Channel
- Корпус
- SOT-23
Цена по запросу
(от 70 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Type | P Channel |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Range | TrenchFET Gen V Series |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 6.5A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.5V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8W |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.028 Ом |