SI2393DS-T1-GE3, MOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006229997
- Артикул
- SI2393DS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 4
- Channel Type
- P Channel
- Package Type
- SOT-23
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 49,15 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• Канальный силовой МОП-транзистор TrenchFET® Gen IV P • 100% тестирование Rg и UIS
Технические параметры
| Вес, г | 4 |
| Channel Type | P Channel |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | - |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0189Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.1 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 7.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0189Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 36mΩ@5.1A, 10V |