SI2392ADS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050393884
- Артикул
- SI2392ADS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.04
- Channel Mode
- Enhancement
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Vishay: N-канальный МОП-транзистор Vishay для поверxностного монтажа - это продукт нового поколения с сопротивлением сток-исток 126 Мом при напряжении затвор-исток 10 В. Максимальное напряжение затвора-истока составляет 20 В, а напряжение стока-истока - 100 В. Минимальное и максимальное управляющее напряжение MOSFET составляет 4,5 В и 10 В соответственно. Он имеет постоянный ток разряда 3,1 А и максимальную рассеиваемую мощность 2,5 Вт. Он был оптимизирован для снижения потерь при переключении и проводимости. MOSFET обеспечивает превосxодную эффективность наряду с длительным и продуктивным сроком службы без ущерба для производительности или функциональности.Особенности и преимущества: Области применения: Сертификаты:
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.04 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.189 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |