Моя заявка (0)

TrenchFET N-Channel MOSFET, 3.1 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 SI2392ADS-T1-GE3

TrenchFET N-Channel MOSFET, 3.1 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 SI2392ADS-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016038491
Артикул
SI2392ADS-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
TrenchFET
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 77,61 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Vishay: N-канальный МОП-транзистор Vishay для поверxностного монтажа - это продукт нового поколения с сопротивлением сток-исток 126 Мом при напряжении затвор-исток 10 В. Максимальное напряжение затвора-истока составляет 20 В, а напряжение стока-истока - 100 В. Минимальное и максимальное управляющее напряжение MOSFET составляет 4,5 В и 10 В соответственно. Он имеет постоянный ток разряда 3,1 А и максимальную рассеиваемую мощность 2,5 Вт. Он был оптимизирован для снижения потерь при переключении и проводимости. MOSFET обеспечивает превосxодную эффективность наряду с длительным и продуктивным сроком службы без ущерба для производительности или функциональности.Особенности и преимущества: Области применения: Сертификаты:

Технические параметры

SeriesTrenchFET
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ОсобенностиTrenchFET
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance0.189 O
Maximum Continuous Drain Current3.1 A
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация