Моя заявка (0)

SI2387DS-T1-GE3, 80V 164mOhm@2.1A,10V 2.5V@250uA P Channel 395pF@40V 10.2nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3(TO-236-3) MOSFETs ROHS

SI2387DS-T1-GE3, 80V 164mOhm@2.1A,10V 2.5V@250uA P Channel 395pF@40V 10.2nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3(TO-236-3) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048621380
Артикул
SI2387DS-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series
TrenchFET
Pin Count
3
Fall Time:
30 ns
Цена по запросу
(от 1 316,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канальный силовой МОП-транзистор Vishay TrenchFET Gen IV используется для переключения нагрузки, защиты цепей и управления приводом двигателя.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
SeriesTrenchFET
Pin Count3
Fall Time:30 ns
Rise Time:40 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-23
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-23-3
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:10.2 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip2
Typical Turn-On Delay Time:50 ns
Maximum Drain Source Voltage80 V
Typical Turn-Off Delay Time:44 ns
Id - Continuous Drain Current:3 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance11 Ω
Maximum Continuous Drain Current3 A
Rds On - Drain-Source Resistance:242 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе2.1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)164мОм

Техническая документация