SI2374DS-T1-GE3, MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006209899
- Артикул
- SI2374DS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI2
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 34,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 4,7А, 1,1Вт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI2 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 23 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.06 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | SI2374DS-T1-BE3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.4 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.9 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 41 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.9 A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 30 mOhms |