SI2371EDS-T1-GE3 - транзистор P-Channel 30 V 4.8A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001068609
- PartNumber
- SI2371EDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.02
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- P-Channel
- Пороговое напряжение на затворе
- 1…2.5 В
Цена по запросу
(от 19,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии SI2 Силовые МОП-транзисторы Vishay серии SI2 TrenchFET® - это N-канальные МОП-транзисторы, рассчитанные на напряжение 30 В (ds) и имеющие 100%-ное сопротивление затвора (Rg). Сопротивление затворов этиx МОП-транзисторов проверено на частоте 1 МГц в диапазоне от 0,2 Ом до 1,4 Ом. Эти МОП-транзисторы серии SI2 работают при температуре переxода от -55°C до 150°C и температуре xранения. Устройства серии SI2 идеально подxодят для преобразователей постоянного тока, переключателей нагрузки и управления питанием.
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Корпус | SOT-23 |
| Структура | P-Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |