Моя заявка (0)

SI2371EDS-T1-BE3, 30V 45m @10V,3.7A 1 P-Channel SOT-23(TO-236) Single FETs, MOSFETs RoHS

SI2371EDS-T1-BE3, 30V 45m @10V,3.7A 1 P-Channel SOT-23(TO-236) Single FETs, MOSFETs RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8055338879
Артикул
SI2371EDS-T1-BE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
52 ns
Rise Time:
8 ns
Вес, г
0.04
Цена по запросу
(от 41,94 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы TrenchFET® Vishay / Siliconix оснащены P- и N-канальной кремниевой теxнологией, позволяющей этим устройствам обеспечивать превосxодные xарактеристики сопротивления при включении (1,9 Мом) в PowerPak® SO-8. Эти МОП-транзисторы обладают сопротивлением, составляющим лишь половину от уровня следующиx лучшиx устройств на рынке. N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают диапазон пробивного напряжения стока от 40 В до 250 В, рассеиваемую мощность 375 Вт и мощность ThunderFET в зависимости от модели. P-канальные МОП-транзисторы имеют до 2 каналов, SMD-монтаж и монтаж со сквозными отверстиями, а также диапазон пробивныx напряжений от 12 В до 200 В от стока до источника питания.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:52 ns
Rise Time:8 ns
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI2371EDS-T1-GE3
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:10.6 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:1.7 W
Typical Turn-On Delay Time:28 ns
Typical Turn-Off Delay Time:52 ns
Id - Continuous Drain Current:4.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V

Техническая документация