SI2369DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,6А; Idm: -80А; 1,6Вт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031066588
- Артикул
- SI2369DS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.03
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 64 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Рыночный спрос на этот продукт привел к увеличению сроков поставки. Сроки поставки могут меняться. Скидки на этот продукт не распространяются.
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | sot23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.04 O |
| Drain Source On State Resistance | 0.024Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.6 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 7.6А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.6 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.024Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |