SI2367DS-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -3А, 1,1Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070126247
- Артикул
- SI2367DS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.02
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 44,52 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -3А, 1,1Вт, SOT23
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.2 A |