SI2367DS-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.8 A, 0.066 ohm, TO-236, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009229333
- Артикул
- SI2367DS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.001
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 75 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -3А, 1,1Вт, SOT23
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.2 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.066 Ом |