SI2365EDS-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -5.9 А, -20 В, 0.0265 Ом, -4.5 В, -1 В
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000450916
- Артикул
- SI2365EDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.45
- Структура
- МОП-транзистор
- Линия Продукции
- TrenchFET Series
- Количество Выводов
- 3вывод(-ов)
Цена по запросу
(от 11,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SI2365EDS-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -5.9 А, -20 В, 0.0265 Ом, -4.5 В, -1 В
Технические параметры
| Вес, г | 0.45 |
| Структура | МОП-транзистор |
| Линия Продукции | TrenchFET Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | -5.9А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.7Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | -1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 c |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0265Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0265 Ом |