SI2356DS-T1-GE3-VB, SOT23-3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026381069
- Артикул
- SI2356DS-T1-GE3-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT23-3
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 1.7W
Цена по запросу
(от 33 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT23-3 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 1.7W |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 6.5A |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 30mΩ@10V |