SI2347DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566033
- Артикул
- SI2347DS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 4.54
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 30,52 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальный МОП-транзистор Vishay для поверxностного монтажа - это продукт нового поколения с сопротивлением сток-исток 42 Мом при напряжении затвор-исток 10 В.
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4.54 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TO-236 |
| Корпус | sot23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.042 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.1 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |