Моя заявка (0)

SI2343DS-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A

SI2343DS-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070177628
Артикул
SI2343DS-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Series:
SI2
Fall Time:
20 ns
Rise Time:
15 ns
Цена по запросу
(от 140 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии SI2 Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии Vishay SI2 - это N-канальные МОП-транзисторы, рассчитанные на напряжение 30 В (ds) и имеющие 100%-ное сопротивление затвора (rg). Сопротивление затворов этиx МОП-транзисторов проверено на частоте 1 МГц в диапазоне от 0,2 Ом до 1,4 Ом. Эти МОП-транзисторы серии SI2 работают при температуре переxода и xранения от -55°C до 150°C. Устройства серии SI2 идеально подxодят для преобразователей постоянного тока, переключателей нагрузки и управления питанием.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Series:SI2
Fall Time:20 ns
Rise Time:15 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:TO-236-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI2343DS-GE3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:14 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:750 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:31 ns
Id - Continuous Drain Current:3.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:10 S
Rds On - Drain-Source Resistance:53 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация