Моя заявка (0)

SI2343DS-T1-E3, 30V 3.1A 53mOhm@10V,4A 750mW 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

SI2343DS-T1-E3, 30V 3.1A 53mOhm@10V,4A 750mW 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017601460
Артикул
SI2343DS-T1-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.01
Серия
SI2
Корпус
SOT-23
Структура
P-Channel
Цена по запросу
(от 321,35 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V

Технические параметры

Вес, г0.01
СерияSI2
КорпусSOT-23
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада20 ns
Power Dissipation (Pd)750mW
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)21nC@10V
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокSOT-23-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)540pF@15V
Continuous Drain Current (Id)3.1A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора14 nC
Время нарастания15 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности0.75 W
Другие названия товара №SI2343DS-E3
Id - непрерывный ток утечки3.1 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток53 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения31 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.1
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.10 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)53mΩ@10V, 4A

Техническая документация