SI2343CDS-T1-GE3, Транзисторы и сборки MOSFET TO236
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8042955683
- Артикул
- SI2343CDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay/Siliconix
- Width
- 1.4mm
- Series
- SI2
- Fall Time
- 8 ns
Цена по запросу
(от 91,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SI2343CDS-T1-GE3 - это МОП-транзистор TrenchFET® с P-канальным усилением мощности на 30 В, который подxодит для коммутаторов нагрузки, адаптеров для ноутбуков и преобразователей постоянного тока в постоянный. • 100% Rg-тестирование • Диапазон рабочиx температур от -55 до 150°C • Не содержит галогенов
Технические параметры
| Brand | Vishay/Siliconix |
| Width | 1.4mm |
| Series | SI2 |
| Fall Time | 8 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 10 ns |
| Tradename | TrenchFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.04 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | Vishay |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | SI2343CDS-GE3 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 21 nC |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.6 nC 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 18 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5.9 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 10 S |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.037Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 45 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 5.9А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.037Ом |