Моя заявка (0)

SI2338DS-T1-BE3, 30V 28mOhm@5.5A,10V null SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS

SI2338DS-T1-BE3, 30V 28mOhm@5.5A,10V null SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026381697
Артикул
SI2338DS-T1-BE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Fall Time
7 ns
Packaging
Reel
Rise Time
11 ns
Technology
Si
Цена по запросу
(от 95 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Fall Time7 ns
PackagingReel
Rise Time11 ns
TechnologySi
Вес, г1
SubcategoryTransistors
Channel ModeEnhancement
ManufacturerVishay
Product TypeMOSFETs
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Part # AliasesSI2338DS-T1-GE3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFETs
Qg - Gate Charge4.2 nC
Number of Channels1 Channel
СтруктураMOSFET
Transistor PolarityN-Channel
Pd - Power Dissipation2.5 W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time3 ns
Typical Turn-Off Delay Time20 ns
Id - Continuous Drain Current6 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance28 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2.5 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)28мОм

Техническая документация