Моя заявка (0)

SI2337DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -80В, -1,75А, 1,6Вт, SOT23

SI2337DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -80В, -1,75А, 1,6Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017543864
Артикул
SI2337DS-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
MSL
MSL 1-Unlimited
Width
1.4mm
Pin Count
3
Вес, г
0.03
Цена по запросу
(от 256 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

• P-канальный MOSFET на 80 В, 2,2 А в 3-контактном корпусе TO-236 • Силовой MOSFET TrenchFET®

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Width1.4mm
Pin Count3
Вес, г0.03
No. of Pins3Pins
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP Channel
Package TypeSOT-23
КорпусSOT23-3
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation760мВт
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleSOT-23
Особенности-
Drain Source Voltage Vds80V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2.5 W
Operating Temperature Max150°C
Typical Gate Charge @ Vgs11 nC @ 10 V
Continuous Drain Current Id2.2A
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-50 °C
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance303 mΩ
кол-во в упаковке3000
Drain Source On State Resistance0.216Ом
Maximum Continuous Drain Current1.75 A
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2.2А
Рассеиваемая Мощность760мВт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-236
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1.6
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.216Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.75
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация