SI2336DS-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001510969
- Артикул
- SI2336DS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SOT23
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.01
- Gate charge
- 5.7nC
Цена по запросу
(от 58 ₽)
Минимальный заказ: 380 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 4,1А, 1,1Вт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.01 |
| Gate charge | 5.7nC |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | SOT-23 |
| Drain current | 4.1A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 1.1W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 52mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W;1.8W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15nC@8V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 560pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.2A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 42mΩ@3.8A, 4.5V |