SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003912612
- Артикул
- SI2333DDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SOT23
- Width
- 1.4mm
- Вид
- MOSFET
- Тип
- полевой
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Width | 1.4mm |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.04 |
| Gate charge | 35nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | sot23 |
| Drain current | -5.2A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 1.1W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 0.15Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -12V |
| Pulsed drain current | -20A |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 19 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.1 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |