SI2333CDS-T1-GE3, MOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8047694516
- Артикул
- SI2333CDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SOT23
- Brand
- Vishay/Siliconix
- Series
- SI2
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 42 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Brand | Vishay/Siliconix |
| Series | SI2 |
| Mounting | SMD |
| Fall Time | 12 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 35 ns |
| Tradename | TrenchFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 25nC |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Vishay |
| Polarisation | unipolar |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Drain current | -5.7A |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | SI2333CDS-GE3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 15 nC |
| Power dissipation | 1.6W |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 35mΩ |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Drain-source voltage | -12V |
| Pulsed drain current | -20A |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W;2.5W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4.5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25nC@4.5V |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.225nF@6V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.1A |
| Id - Continuous Drain Current | 7.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 18.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
| Крутизна характеристики, S | 18.5 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 35 мОм |