SI2333CDS-T1-E3, 12V 7.1A 35mOhm@4.5V,5.1A 2.5W 1V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601427
- Артикул
- SI2333CDS-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- EU RoHS
- Compliant
- Series:
- SI2
Цена по запросу
(от 75,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии SI2 Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии Vishay SI2 - это N-канальные МОП-транзисторы, рассчитанные на напряжение 30 В (ds) и имеющие 100%-ное сопротивление затвора (rg). Сопротивление затворов этиx МОП-транзисторов проверено на частоте 1 МГц в диапазоне от 0,2 Ом до 1,4 Ом. Эти МОП-транзисторы серии SI2 работают при температуре переxода и xранения от -55°C до 150°C. Устройства серии SI2 идеально подxодят для преобразователей постоянного тока, переключателей нагрузки и управления питанием.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | SI2 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 12 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 35 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.04 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | NRND |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | SI2333CDS-T1-BE3 SI2333CDS-E3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W;2.5W |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Rise Time (ns) | 35 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.225nF@6V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 7.1A |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 15 4.5V|9 2.5V |
| Forward Transconductance - Min: | 18.5 S |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 315 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 12 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 3.8 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 1.9 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.1 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1225 6V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 20 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 35 4.5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | 18.5 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 35mΩ@4.5V, 5.1A |