SI2333-HXY, 18V 6.5A 28m-@4.5V,4.1A 2W 1V@250uA P Channel 980pF@4V SOT-23 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015899937
- Артикул
- SI2333-HXY
- Бренд
- HXY MOSFET
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.04
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 6,33 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
18 В 6,5 А 28mOhm@4.5V,4,1 А, 2 Вт, 1 В, 250uA, P-канальные МОП-транзисторы SOT-23, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SOT-23 |
| Структура | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 18V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.21nF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 7A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@4.5V, 6.5A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 18 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 22mΩ@4.5V, 6.5A |