SI2328DS-T1-GE3, SOT23-3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026380853
- Артикул
- SI2328DS-T1-GE3
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.06
- Корпус
- SOT23-3
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 730mW
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.06 |
| Корпус | SOT23-3 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 730mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5nC@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.15A |
| Крутизна характеристики, S | 4 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 250mΩ@10V, 1.5A |