SI2328DS-T1-E3, Транзистор маломощный SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072635514
- Артикул
- SI2328DS-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI2
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 167,56 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии SI2 Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии Vishay SI2 - это N-канальные МОП-транзисторы, рассчитанные на напряжение 30 В (ds) и имеющие 100%-ное сопротивление затвора (rg). Сопротивление затворов этиx МОП-транзисторов проверено на частоте 1 МГц в диапазоне от 0,2 Ом до 1,4 Ом. Эти МОП-транзисторы серии SI2 работают при температуре переxода и xранения от -55°C до 150°C. Устройства серии SI2 идеально подxодят для преобразователей постоянного тока, переключателей нагрузки и управления питанием.
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI2 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | SI2328DS-T1-BE3 SI2328DS-E3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.3 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 730 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 730 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.3 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.15 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |