SI2328DS-T1-BE3, MOSFETs SOT233 100V 1.15A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025515679
- Артикул
- SI2328DS-T1-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Fall Time
- 10 ns
- Packaging
- Reel
- Rise Time
- 11 ns
- Technology
- Si
Цена по запросу
(от 45 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальный N-канальный источник питания для поверxностного монтажа напряжением 100 В 0,25 Ом - SOT-23
Технические параметры
| Fall Time | 10 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 11 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | Transistors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Vishay |
| Product Type | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | SI2328DS-T1-E3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge | 3.3 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation | 730 mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 1.15 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 250 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |