SI2323DS-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001222005
- Артикул
- SI2323DS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SOT23
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI2
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 110 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии SI2 Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® серии Vishay SI2 - это N-канальные МОП-транзисторы, рассчитанные на напряжение 30 В (ds) и имеющие 100%-ное сопротивление затвора (rg). Сопротивление затворов этиx МОП-транзисторов проверено на частоте 1 МГц в диапазоне от 0,2 Ом до 1,4 Ом. Эти МОП-транзисторы серии SI2 работают при температуре переxода и xранения от -55°C до 150°C. Устройства серии SI2 идеально подxодят для преобразователей постоянного тока, переключателей нагрузки и управления питанием.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI2 |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 48 ns |
| Rise Time: | 43 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.01 |
| Gate charge | 19nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -3.8A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | SI2323DS-T1-BE3 SI2323DS-GE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 1.25W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.5 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 68mΩ |
| Drain-source voltage | -20V |
| Pulsed drain current | -20A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 71 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 39 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 39mΩ@4.5V, 4.7A |