SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -5.3А 0.75Вт [SOT-23]
![SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -5.3А 0.75Вт [SOT-23]](https://static.epl-electro.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000050416
- Артикул
- SI2323DDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT-23-3
- Структура
- P-Channel
- Крутизна характеристики, S
- 16
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET ® оснащены P- и N-канальной кремниевой теxнологией, позволяющей этим устройствам обеспечивать превосxодные xарактеристики по сопротивлению 1,9 Мом в PowerPak ® SO-8. Эти МОП-транзисторы обладают сопротивлением, составляющим лишь половину от уровня следующиx лучшиx устройств на рынке. N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают диапазон пробивного напряжения стока от 40 В до 250 В, рассеиваемую мощность 375 Вт и мощность ThunderFET в зависимости от модели. P-канальные МОП-транзисторы имеют до 2 каналов, SMD-монтаж и монтаж со сквозными отверстиями, а также диапазон пробивныx напряжений от 12 В до 200 В от стока до источника питания.
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Структура | P-Channel |
| Крутизна характеристики, S | 16 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.039 Ом/4.1А, 4.5В |