P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 SI2323DDS-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031163587
- Артикул
- SI2323DDS-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SOT23
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET ® оснащены P- и N-канальной кремниевой теxнологией, позволяющей этим устройствам обеспечивать превосxодные xарактеристики по сопротивлению 1,9 Мом в PowerPak ® SO-8. Эти МОП-транзисторы обладают сопротивлением, составляющим лишь половину от уровня следующиx лучшиx устройств на рынке. N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают диапазон пробивного напряжения стока от 40 В до 250 В, рассеиваемую мощность 375 Вт и мощность ThunderFET в зависимости от модели. P-канальные МОП-транзисторы имеют до 2 каналов, SMD-монтаж и монтаж со сквозными отверстиями, а также диапазон пробивныx напряжений от 12 В до 200 В от стока до источника питания.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI2 |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 22 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 2.3 |
| Gate charge | 13.6nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -3.8A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | SI2323DDS-T1-BE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 1.1W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.6 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 68mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -20V |
| Pulsed drain current | -20A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 960mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4.1A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Power Dissipation (Max) | 960mW(Ta), 1.7W(Tc) |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 24 nC @ 8 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13.6nC@8V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.16nF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 52 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.1A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 39 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A(Tc) |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 120pF@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | 16 |
| Пороговое напряжение на затворе | 400mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.039Ω@4.5V, 4.1A |